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亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型

Compact I-V Model for Sub-100nm Bulk Silicon MOSFETs

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doi：
10.3969/j.issn.1674-4926.2005.03.025
摘要：
利用"局域化"的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I-V模型.通过与TSMC提供的沟长为45nm实际器件测试结果[1],以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较,证明了该模型具有良好的精度(平均误差小于8%)和可延伸性.
作者： 张大伟[1]    章浩[2]    朱广平[1]    张雪莲[1]    田立林[1]    余志平[1]
Author： Zhang Dawei[1]    Zhang Hao[2]    Zhu Guangping[1]    Zhang Xuelian[1]    Tian Lilin[1]    Yu Zhiping[1]
作者单位：
  1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
  2. 清华大学电子工程系,北京,100084
期 刊： 半导体学报   ISTIC EI PKU
Journal： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
年，卷(期)： 2005, 26(3)
分类号： TN304.02
关键词： 量子力学效应 知识脉络    弹道输运 知识脉络    体硅MOSFET 知识脉络    集约I-V模型 知识脉络    可延伸性 知识脉络   
机标分类号： TN3 TP7
基金项目： 国家高技术研究发展计划(863计划)
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