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考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型

Analytical Charge Model for MOSFETs with 2-D Quantum Mechanical Effects

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doi：
10.3969/j.issn.1000-3819.2005.01.003
摘要：
在亚50 nm的MOSFET中,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其对于阈电压的修正.在此基础上,对沟道方向的子带作了抛物线近似,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型.根据该模型,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系.与数值模拟结果的比较表明,该解析模型的精度令人满意,并且得出以下结论:二维量子力学效应使阈电压下降,并且在亚50 nm的MOSFET中,这个修正不可忽略.
作者 ： 张大伟[1]    章浩[2]    余志平[1]    田立林[1]
Author： ZHANG Dawei[1]    ZHANG Hao[2]    Yu Zhiping[1]    Tian Lilin[1]
作者单位 ：
  1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
  2. 清华大学电子信息工程系,北京,100084
期 刊： 固体电子学研究与进展   ISTICPKU
Journal： RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
年，卷(期) ： 2005, 25(1)
分类号 ： TN386.1
关键词： 二维量子力学效应 知识脉络    WKB理论 知识脉络    全解析电荷模型 知识脉络    亚50纳米 知识脉络    金属氧化物半导体场效应晶体管 知识脉络   
机标分类号 ： TN3 P62
基金项目 ：
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