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高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命
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摘要:高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小.电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试.介绍了电阻率为0.03~0.04 Ω·cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法.通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平.通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命.
分类号:
O785(晶体生长)
在线出版日期:
2011-01-10 (万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
页数:
4 (1102-1105)
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